由海外歸國技術(shù)專家和國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)頂尖產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦，致力于開發(fā)新一代節(jié)能高效碳化硅功率芯片和模塊，在功率半導(dǎo)體和碳化硅材料器件領(lǐng)域擁有十多年的技術(shù)積累。中瑞宏芯半導(dǎo)體持續(xù)提升企業(yè)創(chuàng)新能力和核心競爭力，與蘇州第三代半導(dǎo)體研究院共同打造碳化硅材料與芯片生產(chǎn)研發(fā)基地，自建工程實(shí)驗(yàn)中心，并在瑞典設(shè)有海外銷售和研發(fā)中心，以創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級，自主研發(fā)的碳化硅肖特基二極管和碳化硅 MOSFET 等產(chǎn)品已達(dá)到國際一線，國內(nèi)領(lǐng)先的水平。
       碳化硅功率芯片在光伏新能源、電動(dòng)汽車、動(dòng)車高鐵、電網(wǎng)、工業(yè)和消費(fèi)級電源等領(lǐng)域應(yīng)用前景巨大。以新能源汽車需求為例: SiC芯片是電動(dòng)汽車的核心, 電機(jī)主逆變器，DC/DC變壓器，OBC車載充電器，充電樁等都需要用到碳化硅芯片。
       第一代半導(dǎo)體硅（Si）已不能滿足大功率密度電力電子器件的應(yīng)用需求；第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）以優(yōu)異的材料性能，成為新一代綠色經(jīng)濟(jì)核心半導(dǎo)體材料：
1、高耐壓 — 3倍于硅的禁帶寬度，10倍于硅的擊穿電場強(qiáng)度。
2、低損耗 — 導(dǎo)通電阻降至硅的1/100，高頻開關(guān)損耗低。
3、高耐溫 — 硅器件一般工作溫度150℃，SiC器件理論可達(dá)600℃。
4、高導(dǎo)熱率 — 器件散熱性能佳，可縮小或省去系統(tǒng)冷卻部分。